ルネサスエレクトロニクスは6月5日、インド効果大ハイデラバード校(所在地:インドテランガーナ州、以下、IITH)と、VLSI(Very Large-Scale Integrated Circuits)および組み込み半導体システム分野における3年間の産学連携に関する基本合意書を締結したと発表した。
この基本合意書はIITHの教員との研究開発や学術的な交流に重点を置き、インド政府が掲げる施策「Make in India」の発展に資することを目的としている。
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