東芝は6月2日、電力損失を大幅に低減可能なパワー半導体と、ゲート電極を3つ有する新構造のシリコンIGBTを開発したと発表した。電力のオンとオフが切り替わる時の電力損失を従来型と比べて最大40.5%低減し、脱炭素社会の実現に貢献する。
パワー半導体は太陽光発電システムや電気自動車など幅広い分野で電力の制御に使われている。あらゆる電力機器に搭載される電力変換器を高効率化し、カーボンニュートラルに寄与する。
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